乘勝追擊？國芯替代！華為投資來了
“充電樁芯片”第一股東微半導在科創(chuàng)板掛牌上市，首日開盤5分鐘漲超13%，市值破百億元，惹來眾人矚目。
實際上，東微半導是一家工業(yè)及汽車領域應用的半導體企業(yè)，在高壓超級結、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領域中，實現了國產化。
德系大廠背景，車芯“交集替代”？
據悉，東微半導的聯合創(chuàng)始人為龔軼與王鵬飛，2008年9月，龔軼與王鵬飛共同創(chuàng)辦東微有限。
編者查閱資料顯示，龔軼早年便擔任美國超微半導體公司工程部工程師。后來，龔軼轉投到德國英飛凌科技，擔任技術專家。
而王鵬飛與龔軼有著相似的經歷，王鵬飛早年在德國英飛凌科技，擔任存儲器研發(fā)中心研發(fā)工程師一職。關鍵的是，王鵬飛還擔任過復旦大學微電子學院教授，是國家高層次人才特殊支持計劃領軍人才入選者。
因此，上述兩人年齡背景相仿，在車載芯片上發(fā)生了交集也就不難理解了。在成立東微半導后，龔軼一直做總經理，負責東微半導的業(yè)務，王鵬飛則為首席技術官，帶領劉磊、劉偉及毛振東進行研發(fā)。
另外，編者發(fā)現，東微半導核心技術人員均為半導體相關專業(yè)畢業(yè)，從事半導體技術開發(fā)和項目管理工作超過10年，有著較為豐富的產品開發(fā)經驗和項目管理經驗。在缺芯潮背景之下，這是對東微半導業(yè)績如虎添翼？
對此，編者也留意到，預計東微半導2021年度，營業(yè)收入為7.72億元至8.03億元，同比增長150%至160%。顯然，營收大增的背后，是新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器等終端市場需求提升，公司產品規(guī)模增長所致。
不難發(fā)現，東微半導專注新能源汽車直流充電樁、5G基站電源及通信電源等領域，為國內少數專注工業(yè)級高壓超級結MOSFET領域的高性能功率半導體廠商。
另外，在業(yè)務結構中，東微半導與士蘭微和新潔能相近。士蘭微主營MOSFET、IGBT半導體分立器件；新潔能則做溝槽型功率MOSFET、超級結功率MOSFET的。
總的來說，隨著中美貿易摩擦、自主可控意識的提升，以及國內下游汽車電子、5G通信、工業(yè)電子等需求的提升，國內功率半導體企業(yè)將憑借市場優(yōu)勢，迎來高速發(fā)展時期，國產替代將是大勢所趨。
硬實力“吸金”，華為投資借勢而起？
編者留意到，東微半導此次募投中的研發(fā)工程中心建設項目計劃在SiC器件、新型硅基高壓功率器件方向進行布局，為其可持續(xù)發(fā)展提供更有力的技術支撐。東微半導提早布局并推出碳化硅功率器件，能夠持續(xù)擴產公司產品類型，為客戶提供更加完整的高性能功率器件產品，也將為將來的發(fā)展提供了更大的想象空間。
除此之外，基于業(yè)內獨創(chuàng)的Tri-gate IGBT技術，東微半導的研發(fā)團隊創(chuàng)造性地提出了Hybrid-FET器件結構，該器件在大幅提高功率器件功率密度的同時，能夠維持較高的開關速度，可明顯提升系統(tǒng)效率。
因此，從東微半導的招股書和以往公開的資料，也發(fā)現多項令人意外的技術亮點，也就不難理解這家素來低調的公司為何同時被眾多大資本看中。
實際上，與比亞迪半導體一樣，作為炙手可熱的車載芯片，東微半導IPO備受矚目，其背后的投資陣容非常亮眼，包含了哈勃投資、中芯聚源、中興創(chuàng)投以及元禾控股等，而隨著東微半導的上市，哈勃投資獲得了多倍回報。
當然，這不是哈勃投資第一次在VC投資上，獲取豐厚回報。
編者也發(fā)現，自哈勃投資成立以來，或已經拿下6個IPO，此前不久哈勃投資押中的天岳先進也在科創(chuàng)板掛牌上市。隨著天岳先進的上市，哈勃投資在這筆投資中，回報倍數達到20倍。
此外，思瑞浦、燦勤科技、東芯股份、炬光科技，均是哈勃投資投出的IPO；蛟S是VC投資做的“風生水起”，哈勃投資也正式進軍私募。
總的來說，東微半導順利打造出高性能的高壓超級結MOSFET，憑借著獨創(chuàng)的Tri-gate IGBT技術，東微半導又順利進入IGBT市場，并開發(fā)出第三代半導體芯片。相信東微半導成功IPO之后，有更大作為。
而截至目前，哈勃投資的公司中，納芯微、好達電子、長光華芯等均已經過會。乘著相關投資企業(yè)東風之下，可以預見，一個“硬科技VC”巨頭也正在崛起。
編輯：ZQY 最后修改時間：2022-08-19
